退火爐是在半導體器件制造中使用的一種工藝，其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設計的。可以加熱晶片以激活摻雜劑，將薄膜轉換成薄膜或將薄膜轉換成晶片襯底界面，使致密沉積的薄膜，改變生長的薄膜的狀態(tài)，修復注入的損傷，移動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜轉移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。

退火爐是集成電路制造工藝中的常用設備之一- 。在半導體制造中，有很多工藝(如氧化、擴散、外延、離子注人、蕉發(fā)電極等)在其完成后需要進行特定的退火熱處理。

退火的主要作用是消除晶格缺陷( 使不在晶格位置上的離子運動到晶格位置，以使其具有電活性，產(chǎn)生自由載流子，起到激活雜質的作用)和晶格損傷(在離子注人過程中，由于受到高能粒子的撞擊，導致硅結構的晶格原子發(fā)生位移，造成晶格缺陷和損傷)。

1、檢修時更換設備的部位。檢修時動過的爐體和管道部分，都要作為檢查的關鍵部位。

2、開啟過的頂蓋、底蓋、穿帶孔、檢修門。

3、入口密封輥縫。

4、爐殼和循環(huán)管道上的膨脹節(jié)，爐輥法蘭、換熱器法蘭、各儀表法蘭和焊口等。

5、水冷高溫計、攝像頭、水冷換熱器等。

6、分析儀取樣管接頭等。